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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED外延性片分娩制造品牌,因分娩制造进程中使用的砷化镓、酸洗铟等III-V族氧化物,废池里含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,方案外理投资额1200吨/日。 化工废水因素及源头 MOCVD环保设备洗废气 :含前三基镉、前三基铟等无机复合单质 切除研磨抛光废液 :含纳米技术级轻金属科粒 真空电镀电镀废水 :含铜、镍等复合阳离子 清理工艺设计具体流程 不断创新所采用"氧化的破络+天价属气体吸附+膜脱离"整合的工艺: 预加工处理摸块 :污泥脱水次氯酸钠溶液转换有机酸合金材料络合物 核心思想进行处理摸块 : 用到DTCR天价属捕集器剂导致不溶解性螯合物 反渗透膜系统(UF)挤占分子结构的固体废弃物 反侵入(RO)脱盐率>98% 污水清理单园 :离心力脱水现象后代为危废解决解决中防范 终究成果 经然后方测试: 总砷浓度:0.05mg/L(行业标准0.5mg/L) 镉硫含量:0.01mg/L(标准0.1mg/L) 水中水回用率:75% 运动总成本:3.8元/吨水

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